Die chinesische Speicherproduktion entwickelt sich rasant, sei es am Beispiel von YMTC, das im NAND-Flash-Segment tätig ist, oder von CXMT, das versucht, im DRAM-Segment Fuß zu fassen. Ersteres geriet kürzlich ins Rampenlicht der Medien, da es beim Marktanteil auf das Podium vorgerückt ist und somit bereits als drittgrößter DRAM-Hersteller gilt, direkt hinter SK hynix und dem Marktführer Samsung, allerdings belegt YMTC beim Umsatz nur den fünften Platz, da es sich mit seinen Produkten hauptsächlich auf den Verbrauchermarkt konzentriert und nicht auf das gewinnbringendere Geschäftskundensegment. Gleichzeitig bleibt auch CXMT nicht untätig: Seine Ingenieure arbeiten kontinuierlich an der Weiterentwicklung der Speicherfertigung und der Speichertechnologien, was bereits erste Ergebnisse zeigt.
Auf dem Verbrauchermarkt, insbesondere im Segment der für Gamer bestimmten Speichermodule, hat CXMT gerade einen äußerst bemerkenswerten Erfolg erzielt. Mit ihrer neuesten Entwicklung ist es ihnen auf einer Plattform aus einem AMD RYZEN 9000-Prozessor und einem Mainboard mit X870E-Chipsatz gelungen, sogar die 9000-MT/s-Marke leicht zu überschreiten, was eine beachtliche Leistung ist, da erst Ende letzten Jahres angekündigt wurde, dass mit ihren neuesten DDR5-Speicherchips bereits DDR5-8000-MT/s erreicht werden können. Seitdem ist viel Zeit vergangen, das Unternehmen hat bei der Ausbeute große Fortschritte gemacht, und parallel dazu haben sich auch die Qualität und das Übertaktungspotenzial der Speicherchips verbessert, sodass es gelang, die Traumgrenze von 9.000 MT/s zu erreichen.
Für den Test wurde ein Colorful iGame X870E Vulcan W OC-Mainboard verwendet, das mit einem iGame Shadow II-Speicherset in einer Konfiguration von 2 x 24 GB kombiniert wurde. Auf dem betreffenden Mainboard gelang es neben einem Prozessor der RYZEN 7 9000-Serie, eine Taktrate von bis zu 4507 MHz zu erreichen, was dank der Besonderheiten der DDR-Technologie einem Wert von 9014 MT/s entspricht.
Das Unternehmen testet die Colorful iGame Shadow II 24Gx2-Speichermodule auch mit ASUS-Mainboards und optimiert deren Betrieb, insbesondere im Hinblick auf die Reduzierung der Latenz. Den vorläufigen Ergebnissen zufolge gelingt es auch in diesem Bereich, das Niveau der drei großen Speicherhersteller zu erreichen. Den Tests zufolge erreichen die betreffenden DDR5-Speichermodule bei einer Geschwindigkeit von 6000 MT/s eine CL30-Timing-Einstellung; zudem laufen bereits Vorabtests, die auf das Erreichen eines CL28-Timings abzielen.
Die aktuellen DDR5-Speicherchips von CXMT ( ), die mit einer Fertigungstechnologie der 17-nm-Klasse hergestellt werden, werden mit einer Ausbeute von rund 90 % bzw. – vielleicht sogar knapp über 90 % – produziert, das heißt, in diesem Bereich liegen sie nur 2–3 % hinter der Ausbeute zurück, die bei Samsungs Strukturbreiten der 10-nm-Klasse zu verzeichnen ist und typischerweise bei etwa 92–93 % liegt. Es scheint, als würde das chinesische Unternehmen CXMT in Bezug auf Fertigungstechnologie und Ausbeute ebenso zu den drei großen Speicherherstellern aufschließen wie in Bezug auf Geschwindigkeit und Latenz, was zeigt, die Entwicklung vorerst in die richtige Richtung geht und sich die aufopferungsvolle Arbeit der Entwickler als ausreichend fruchtbar erweist.
Inwieweit genau die Streuung hinsichtlich des Übertaktungspotenzials, des Leckstroms und anderer Parameter der Speicherchips ist, wird sich erst später zeigen, doch nach den vorläufigen Informationen haben die Ingenieure des Unternehmens in diesen Bereichen noch einiges zu tun.
