SK Hynix hat kürzlich einen sehr wichtigen Meilenstein im Segment der 3D-NAND-Flash-Speicherchips erreicht. Das Unternehmen hat die weltweit ersten 3D-NAND-Flash-Speicherchips auf den Markt gebracht, die nun aus 321 Zellschichten bestehen. Die 3D-NAND-Flash-Chips, die der Hersteller als 4D-Speicherchips bezeichnet, haben einen Steuerschaltkreis, der sich unter den NAND-Flash-Arrays befindet, was zu einem kompakteren und effizienteren Design führt. Die neuen Bausteine sind vom TLC-Typ, d. h. eine einzelne NAND-Flash-Zelle kann insgesamt 3 Bits an Daten speichern, während der 321-Zellen-Chip selbst eine Gesamtspeicherkapazität von 1 TB aufweist.

Der Hersteller war auch der erste mit seinen 238-Zellen-Layer-3D-NAND-Flash-Speicherchips im Juni letzten Jahres und ist nun der erste, der die weltweit ersten 3D-NAND-Flash-Speicherchips mit mehr als 300 Zellschichten in Massenproduktion herstellt. Im Vergleich zu Produkten mit 238 Zellenschichten bedeuten die Modelle mit 321 Zellenschichten eine Produktivitätssteigerung von 59 %, aber auch eine Geschwindigkeitsverbesserung.

Nach Angaben des Herstellers sind die neuen 3D-NAND-Flash-Speicherchips in der Lage, eine um 12 % höhere Datenübertragungsgeschwindigkeit zu erreichen, während die Lesegeschwindigkeit um 13 % höher ist. Die Energieeffizienz beim Lesen wurde im Vergleich zur vorherigen Generation um mehr als 10 % verbessert. Die neuen Funktionen werden auch auf SSD-Laufwerken und -Karten für den KI-Markt verfügbar sein, wo sie dem Hersteller einen Wettbewerbsvorteil gegenüber aktuellen Konkurrenzlösungen bieten.

Mit dem neuen Chip ist das Unternehmen laut Jungdal Choi, Group Head of NAND Flash Development, einen Schritt näher dran, Marktführer im Segment der Datenspeicherung für KI-Rechenzentren und KI-Aufgabengeräte zu werden. Das Unternehmen könnte schließlich ein Full-Service-Speicheranbieter im KI-Segment werden, wo sich die DRAM-Sparte bereits mit HBM-Chips bewährt hat, aber bald auch Produkte für das NAND-Flash-Segment an der Spitze stehen werden.

Die neuen 3D-NAND-Flash-Speicherchips, die aus 321 Zellschichten bestehen, werden den Partnern voraussichtlich in der ersten Hälfte des nächsten Jahres zur Verfügung stehen, nachdem die Massenproduktion angelaufen ist.