SK hynix hat eine neue Technologie entwickelt, die eine Schlüsselrolle bei der Verbesserung der KI-Fähigkeiten von Mobilgeräten spielen wird. Die Innovation mit der Bezeichnung HBS (High Bandwidth Storage) hat den Vorteil, dass sie DRAM-Chips, die als Systemspeicher fungieren, und NAND-Flash-Chips, die Daten speichern, in einem einzigen Gehäuse vereint und so die Datenverarbeitungsgeschwindigkeit erhöht und eine schnellere Kommunikation zwischen den Chips mit geringerer Latenz ermöglicht.
Laut EETimes kann die HBS-Technologie bis zu 16 DRAM- und NAND-Flash-Chips in einem einzigen Gehäuse integrieren, wobei Vertical Wire Fan-Out (VFO) die Verbindung zwischen ihnen herstellt. VFO ermöglicht eine effizientere und schnellere Kommunikation zwischen den gestapelten Chips mit weniger Verlusten als der klassische Drahtbondprozess, denn während die Verbindungsdrähte einen gewundenen Pfad zwischen den Chips beschreiben, verwendet VFO eine gerade Verdrahtung.
Darüber hinaus benötigt VFO nicht einmal die vertikalen Durchkontaktierungen oder TSVs (Through-Silicon-Vias), die z. B. bei HBM-Speicherchip-Sandwiches verwendet werden, so dass keine Löcher gebohrt und die Wafer durch winzige Löcher verbunden werden müssen, was die Produktionsrate erhöht. Diese Eigenschaft ist auch deshalb positiv, weil sie dazu beiträgt, dass HBS kostengünstiger ist als HBM, und die Skalierung der Produktion einfacher und effizienter erfolgen kann. Natürlich sollte man sich darüber im Klaren sein, dass HBM auf das Segment der KI-Beschleuniger abzielt, während HBS eher in verschiedenen mobilen Geräten wie AR/VR-Headsets, Tablets und Smartphones zum Einsatz kommen wird.
SK hynix sagt, dass durch die Verwendung von VFO eine direkte Verbindung zwischen den Chips hergestellt werden kann, wodurch die Anzahl der verwendeten Drähte um das 4,6-fache reduziert wird und der Stromverbrauch um etwa 5 % gesenkt werden kann, während die Wärmeableitung um etwa 1,4 % erhöht werden kann. Durch die spezielle Verkapselung kann der fertige Chip nach Angaben des Herstellers 27 % kleiner sein, was dazu beitragen kann, ein dünneres Gehäuse für mobile Geräte zu schaffen. Der HBS wird auch die KI-Fähigkeiten von Mobilgeräten verbessern, da er noch größere Sprachmodelle und komplexere KI-Aufgaben auf dem Gerät ausführen kann, ohne dass ein Cloud-basierter Dienst erforderlich ist, was sicherlich eine willkommene Entwicklung ist.
SK hynix hat die VFO-Technologie bereits im Jahr 2023 demonstriert und kommerzialisiert, und die Technologie wird bereits für die DRAM-Verkapselung z. B. im Apple Vision Pro eingesetzt. Es gibt noch keine Informationen darüber, welche Produkte in naher Zukunft mit HBS ausgestattet sein werden, aber das wird hoffentlich bald klar werden.
