SK Hynix hat einen äußerst wichtigen Meilenstein erreicht: Als erstes Unternehmen der Branche hat SK Hynix mit der Massenproduktion eines 3D-NAND-Flash-Speicherchips mit mehr als 300 Zellschichten begonnen und nimmt damit erneut eine Spitzenposition ein. Die hohe Datendichte dieser neuesten Entwicklung wird durch die QLC-NAND-Technologie gewährleistet, die es dem System ermöglicht, bis zu 4 Bit Daten pro Zelle zu speichern.
Der 3D-QLC-NAND-Flash-Speicherchip mit insgesamt 321 Zellschichten ist zudem eine kostengünstige Lösung, die eine doppelt so hohe Speicherkapazität bietet wie Lösungen der vorherigen Generation: 2 TB statt 1 TB, also 256 GB Kapazität pro Chip. Um der potenziellen Leistungsverschlechterung von 3D-QLC-NAND-Flash-Speicherchips mit hoher Speicherkapazität und hoher Datendichte entgegenzuwirken, hat das Unternehmen einen kreativen Ansatz gewählt, der bereits von anderen Herstellern verwendet wurde: Der Chip ist in mehrere Teile aufgeteilt, die unabhängig voneinander und gleichzeitig arbeiten können, was dank der Möglichkeit des Parallelbetriebs eine bessere Leistung und höhere Datenübertragungsgeschwindigkeiten ermöglicht. In Ebenen unterteilte Speicherchips enthalten je nach Modell 4-6 solcher "Partitionen", was die parallele Ausführung erheblich beschleunigt und die parallele Lese- und Schreibleistung erhöht.
Auf der Grundlage interner Tests bedeutet dies in Zahlen ausgedrückt, dass der neue Speicherchip eine doppelt so hohe Datenbandbreite wie sein Gegenstück der vorherigen Generation bieten kann, während er gleichzeitig jeden Vorgang schneller ausführt. Die Schreibleistung ist bis zu 56 % und die Leseleistung bis zu 18 % schneller, während die Energieeffizienz um mehr als 23 % verbessert wurde. Letzteres ist besonders wichtig, da es dazu beiträgt, die Wettbewerbsfähigkeit des Produkts im Bereich der künstlichen Intelligenz zu erhöhen, in dem die Energieeffizienz ein entscheidender Faktor ist - neben den relevanten Leistungsdaten, versteht sich.
Den Plänen von SK hynix zufolge werden die 3D QLC NAND Flash-Speicherchips, die aus 321 Zellschichten bestehen, zunächst in das PC-SSD-Segment und später über Business-SSDs in den Rechenzentrumsmarkt eindringen und auch den Bereich der mobilen Geräte nicht unberührt lassen, wo sie ihr Glück in Form von UFS-Speicher versuchen werden. Die Innovationen nutzen die proprietäre 32DP3-Technologie, die es ermöglicht, dass bis zu 32 NAND-Flash-Chips in ein einziges NAND-Flash-Gehäuse passen, was dem Anbieter einen ausgezeichneten Start auf dem Markt für Laufwerke mit hoher Kapazität und hoher Dichte für das KI-Server-Segment verschafft. Die Innovation ermöglicht die doppelte Speicherkapazität im Vergleich zur vorherigen Technologie, dank der Tatsache, dass sich die Kapazität der Speicherchips verdoppelt hat.
Die SSD-Laufwerke und -Karten mit den neuen Speicherchips werden sich noch etwas gedulden müssen, da sie voraussichtlich erst in der ersten Hälfte des nächsten Jahres in den Regalen stehen werden, kurz nachdem die Partner den Validierungsprozess abgeschlossen haben.
