SK Hynix hat vor kurzem einen weiteren wichtigen Meilenstein erreicht, wodurch das Unternehmen nun endlich mit der Auslieferung der ersten Musterexemplare der HBM4E-Speicherchip-Sandwiches der nächsten Generation im 12-Hi-Format an seine Partner beginnen konnte. Die Neuheit, die 12 DRAM-Chips enthält, wird für den effizienten Betrieb von KI-Beschleunigern der nächsten Generation von entscheidender Bedeutung sein, da es im Vergleich zu seinen Vorgängern nicht nur hinsichtlich der Kapazität, sondern auch bei der Datenübertragungsbandbreite einen Fortschritt darstellt, was eine höhere Speicherbandbreite ermöglicht und zudem Verbesserungen bei der Energieeffizienz mit sich bringt.

Der 48-GB-HBM4E-Speicherchip-Sandwich von SK hynix ist auch deshalb etwas Besonderes, weil die Speicherhersteller im vergangenen Jahr noch planten, die 32-GB-Kapazität in einer 12-Hi-Konfiguration zu erreichen, während für die 48-GB-Kapazität eine 16-Hi-Konfiguration vorgesehen war. Im Vergleich dazu erreicht die Entwicklung von SK hynix die 48-GB-Kapazität mit nur 12 DRAM-Chip-Schichten, was bedeutet, dass die einzelnen DRAM-Chips eine höhere Datendichte aufweisen. Eine weitere gute Nachricht ist, dass es bei der HBM4E-basierten Neuheit dank der neueren Schnittstelle und der Optimierungen gelungen ist, die Datenübertragungsverzögerung zu verringern, was ebenfalls ein entscheidender Aspekt ist.

Ein weiterer sehr wichtiger Fortschritt ist, dass die pro Kontakt verfügbare Geschwindigkeit nun auf 16 Gbit/s gestiegen ist; es wurde jedoch nicht näher erläutert, welche Datenübertragungsbandbreite ein einzelnes Speicherchip-Sandwich genau bietet. Es ist jedoch kein Geheimnis, dass die DRAM-Chips, auf denen HBM4E basiert, mit der 10-nm-Fertigungstechnologie der sechsten Generation (1c) des Unternehmens hergestellt werden können, was bei gleicher Chipfläche zu einer höheren Speicherzellendichte führt, wodurch sowohl die Kapazität als auch die Energieeffizienz gesteigert werden können. In letzterem Bereich bringt die neue Entwicklung im Vergleich zur Vorgängergeneration einen Fortschritt von mehr als 20 %, was auf dem Markt für KI-Beschleuniger von großer Bedeutung ist.

Ein wichtiger Bestandteil des Konzepts ist auch die Advanced-MR-MUF-Verpackung, die die aus übereinander geschichteten DRAM-Chips bestehende Struktur verstärkt, indem sie ein als Schutz fungierendes Material zwischen die einzelnen Chips einfügt, was sich nicht nur positiv auf die strukturelle Stabilität auswirkt, sondern auch die Effizienz der Wärmeübertragung verbessert. In diesem Bereich konnte laut SK hynix im Vergleich zu den Lösungen der vorherigen Generation eine Verbesserung von 17 % erzielt werden, was dazu beiträgt, dass das Speichersubsystem und damit auch die leistungsstarken KI-Beschleuniger stabiler arbeiten bzw. ihre Spitzenleistung über einen längeren Zeitraum stabil aufrechterhalten können.

SK hynix hat bislang noch keine genauen Angaben dazu gemacht, wann genau die Serienproduktion der HBM4E-Speicherchip-Sandwiches mit 12-Hi-Struktur beginnen könnte, doch den Mitarbeitern von ZDNet ist bekannt, könnte dies sogar bereits in der ersten Hälfte des nächsten Jahres geschehen, sofern alles nach Plan verläuft. Inzwischen arbeitet das Unternehmen bereits an der Entwicklung der nächsten, siebten Generation mit einer Strukturbreite von 10 nm, die für die weitere Steigerung der Leistung und Energieeffizienz – zumindest was die HBM-Generation 5 betrifft – von entscheidender Bedeutung sein wird.