Samsung steht vor dem Ende einer jahrzehntelangen Ära: Das Unternehmen wird die Massenproduktion von zweidimensionalen NAND-Flash-Speicherchips noch in diesem Jahr einstellen, da die Nachfrage nach den Produkten offenbar nicht ausreicht, um die Produktion fortzusetzen. Die Marktnachfrage nach Speicherchip-Sandwiches vom Typ HBM dürfte bei dieser Entscheidung eine wichtige Rolle spielen: Die Produktionslinien, die stillgelegt werden, sollen daher HBM4-Speicherchip-Sandwiches herstellen.

Nach Angaben von The Elec Korea wird Samsungs Entscheidung die Produktionslinie 12 im Hwaseong Industrial Park betreffen, die noch 2D-NAND-Flash-Speicherchips herstellt. Natürlich wird die Produktionslinie nach der Schließung des Werks nicht aufgegeben, sondern sofort wieder aufgebaut, um die Produktion der DRAM-Chips aufzunehmen, auf denen die HBM4-Sandwich-Speicherchips basieren.

In jedem dieser HBM4-Speicherchips befinden sich mehrere schichtweise arbeitende DRAM-Wafer, und der darunter liegende Chip, den Samsung diesmal zur Verfügung stellen will, kann auf Wunsch des Kunden auch mit kundenspezifischen Komponenten ausgestattet werden, was die Aufgabe von KI-Beschleunigern erleichtert: Auf den im Speicher abgelegten Datensätzen können durch die auf dem darunter liegenden Chip integrierten Komponenten verschiedene Aufgaben ausgeführt werden, was die Gesamtleistung des Systems erhöht. Die neu gestaltete Version der Linie 12 wird Berichten zufolge für die Herstellung der metallischen Leiterschichten von DRAM-Wafern verwendet, d. h. sie ist für die Herstellung der Leiterschichten zwischen den Speicherzellen zuständig.

Interessanterweise wird die monatliche Produktionskapazität der Silizium-Waferlinie 12 in Hwaseong auf 80 000 bis 120 000 12-Zoll-Wafer pro Monat geschätzt, d. h. sie ist ziemlich hoch. Diese Kapazität wird bald für die Herstellung von DRAM-Wafern für HBM4-Speicherchip-Sandwiches und nicht für 2D-NAND-Flash-Speicherchips verwendet werden, und zwar mit der gleichen Produktionskapazität.

Generation von Samsungs 10-nm-DRAM-Chips der Klasse 1c produzieren, so dass die Gesamtproduktionskapazität für DRAM-Chips mit Waferbreite der Klasse 1c voraussichtlich 200 000 Siliziumwafer pro Monat erreichen wird, was Samsung für die zweite Jahreshälfte erwartet. Neben der Hwaseong-Linie 12 werden auch die Pyeongtaek-Linien 3 und 4 diese DRAM-Chips produzieren und damit die oben genannte monatliche Produktionskapazität erreichen.

Die 2D-NAND-Flash-Speichertechnologie selbst ist schon seit langem auf dem Markt. Die ersten NAND-Flash-Speicherchips dieser Art kamen Ende der 1990er Jahre auf den Markt und werden seitdem produziert, obwohl die Produktion in letzter Zeit zurückgegangen ist, da 3D-NAND-Flash die alte Technologie fast überall abgelöst hat. Im Vergleich zur 2D-NAND-Flash-Technologie bietet 3D-NAND-Flash eine Reihe von Vorteilen: höhere Leistung, höhere Zuverlässigkeit und deutlich höhere Datendichte, die alle dazu beigetragen haben, dass sich der SSD-Markt in dem Tempo entwickelt, wie es in der Vergangenheit der Fall war.

Mit der neuen Produktionslinie zur Unterstützung der HBM4-Produktion wird Samsung in der Lage sein, die Bedürfnisse des KI-Segments effizienter zu bedienen und gleichzeitig höhere Gewinne zu erzielen, als wenn sie weiterhin 2D-NAND-Flash-Speicherchips produzieren würden.