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SAMSUNG STELLT DIE BRANCHENWEIT ERSTEN 24-GB-GDDR7-SPEICHERCHIPS VOR - BIS ZU 42,5 GHZ

Die neuen Speicherchips bringen in mehreren Bereichen erhebliche Verbesserungen gegenüber ihren 16-GB-Pendants.
J.o.k.e.r
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Samsung stellt die branchenweit ersten 24-Gb-GDDR7-Speicherchips vor - bis zu 42,5 GHz

GDDR7-Speicherchips werden bald eine wichtige Rolle an Bord der nächsten Generation von Gamer-Grafikkarten spielen und könnten auch in kostengünstigeren KI-Beschleunigern und High-End-Workstation-Grafikkarten zum Einsatz kommen. Samsung hat kürzlich die branchenweit ersten 24-Gb-GDDR7-Speicherchips vorgestellt, die mit bis zu 42,5 GHz getaktet werden können. Sie können einer Spitzenkarte mit einem 512-Bit-Speicherdatenstrom und 48 GB On-Board-Speicher dabei helfen, Speicherbandbreiten von bis zu 2720 GB/s zu erreichen, wenn sie mit der maximalen Taktfrequenz von 42,5 GHz laufen.

Ein Grund für die Bedeutung der neuen Speicherchips ist, dass sie 50 % mehr Kapazität bieten als die im Sommer vorgestellten 16-GB-Versionen, so dass mehr VRAM an Bord der nächsten Grafikkartengeneration sein kann. Gleichzeitig sind die hohen effektiven Taktraten auch sehr willkommen, da sie dazu beitragen, die effektive Speicherbandbreite zu erhöhen, was ein sehr wichtiger Aspekt ist.

So bieten die neuen Speicherchips laut Samsung eine 50%ige Verbesserung der Datendichte, gleichzeitig hat sich aber auch ihre Energieeffizienz um 30% verbessert, und auch die Speicherbandbreite hat sich im Vergleich zu den zuvor eingeführten GDDR7-Speicherchips, die mit einer effektiven Taktrate von 32 GHz und einer Kapazität von 16 GB arbeiten können, um 25% erhöht. Die neuen Speicherchips werden mit Samsungs 10nm-Wafer der 5. Generation hergestellt, was zu einer 50 %igen Erhöhung der Dichte führt, und die Verpackung des Chips bleibt die gleiche wie bei den 16Gb-Lösungen.

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Ein erheblicher Teil der Verbesserungen ist darauf zurückzuführen, dass die Signalübertragung mittels PAM3-Signalkodierung erfolgt, die mit drei Signalpegeln (-1, 0, +1) arbeitet. 24-Gb-GDDR7-Samsung-Speicherchips sind grundsätzlich in der Lage, eine maximale effektive Taktfrequenz von 40 GHz zu erreichen, aber unter besonderen Bedingungen erreicht die Taktfrequenz Spitzenwerte von 42,5 GHz, was bedeutet, dass sie eine um fast 80 % höhere Taktfrequenz als 24-GHz-GDDR6X-Chips erreichen können.

Eine Reihe von Technologien trägt zur Verbesserung der Energieeffizienz bei und ermöglicht die bereits erwähnte Verbesserung um 30 %. Neben dem Taktmanagement und dem Dual VDD-Design spielt das Power Gating eine wichtige Rolle für den Erfolg der neuen Speichermodule, das es dem Speicher-Controller ermöglicht, den Speicherchip abzuschalten, wenn er nicht benutzt wird, was sich positiv auf den Leckstrom auswirkt.

Mit den neuen Speicherchips kann ein 128-Bit-Subsystem mit 12 GB eine Speicherbandbreite von 680 GB erreichen, während ein 192-Bit-Subsystem mit 18 GB eine Speicherbandbreite von 1020 GB/s erreichen kann. Im Vergleich dazu können 24 GB VRAm, die mit einem 256-Bit-Subchip verbunden sind, eine Speicherbandbreite von 1360 GB/s erreichen, und 30 GB VRAM mit einem 320-Bit-Subchip können eine Speicherbandbreite von 1700 GB/s für die GPU bieten. Die Spitze des Spektrums ist das oben erwähnte 512-Bit-Subsystem, das mit 48 GB VRAM gekoppelt werden kann und eine Speicherbandbreite von 2720 GB/s erreichen kann.

Samsung plant, Anfang nächsten Jahres mit der Massenproduktion von 24-GB-GDDR7-Speicherchips zu beginnen.

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