Samsung Electronics hat einen äußerst wichtigen Meilenstein bei den für KI-Beschleuniger entwickelten HBM-Speicherchip-Stapeln erreicht, da das Unternehmen als erstes in der Branche mit der Auslieferung der ersten Musterexemplare der neuesten Chips nach dem HBM4E-Standard an interessierte Partner begonnen hat. Das Unternehmen konnte bereits zuvor den ersten Platz bei der Aufnahme der Serienfertigung und der Auslieferung von HBM4-Speicherchips in kommerziellen Mengen für sich verbuchen und versucht nun, seine Position im HBM-Segment mit einer weiteren Vorreiterrolle zu verstärken.

Die HBM4E-Standardspeicherchips des Unternehmens bieten eine Datenbandbreite von 14 Gbit/s pro Kontakt. Die Geschwindigkeit kann jedoch auf 16 Gbit/s erhöht werden, um den Bandbreitenhunger im KI-Segment zu verringern und die Aufgabenausführung effizienter und schneller zu gestalten. Die neuen Speicherchips stellen eine Verbesserung von mehr als 20 % gegenüber ihren HBM4-Pendants dar und ermöglichen Speicherbandbreiten von bis zu 3,6 TB/s pro Chip.

Die aktuelle Entwicklung umfasst 12 HBM-Speicherchips, d. h. 12-Hi, mit einer Kapazität von 48 GB, was eine Verbesserung von mehr als 30 % gegenüber dem Spitzenmodell der vorherigen Generation darstellt. Darüber hinaus wird die Palette mit einem 8-Hi-Chip mit 32 GB und einem 16-Hi-Chip mit 64 GB weiter ausgebaut, um sicherzustellen, dass die Palette so weit wie möglich auf die Kundenbedürfnisse eingeht und die kontinuierliche dynamische Entwicklung von KI-Beschleunigern gewährleistet ist.

Die Chips werden mit Samsungs hochmoderner 10nm-Fertigungstechnologie, genannt 1c, hergestellt, die die 6. Generation der 10nm-Fertigungstechnologie darstellt. Generation der 10nm-Fertigungstechnologie darstellt. Die gestapelten Wafer werden mit einer Logikplatine verbunden, die mit der 4nm-Waferbreite von Samsung Foundry hergestellt wird, und die Wafer werden mithilfe fortschrittlicher Verkapselungstechnologien zu einem Chip geformt. Dank der Optimierungen konnte die Energieeffizienz um 16 % gesteigert werden, während der Wärmewiderstand im Vergleich zu HBM-Chips der vorherigen Generation um mehr als 14 % reduziert werden konnte. Diese Verbesserungen haben zu einer effizienteren Wärmeableitung und einem geringeren Stromverbrauch geführt, was den KI-Rechenzentren der nächsten Generation sehr zugute kommen wird.

Samsung plant, den Beginn der Massenproduktion von HBM4E-Chips entsprechend den Kunden-Roadmaps zu planen, sobald Muster geliefert und alle notwendigen Optimierungen vorgenommen wurden. In der Zwischenzeit fährt das Unternehmen die Produktion der HBM4-Speicherchip-Sandwiches, die im Februar in die Massenproduktion gingen, kontinuierlich hoch und bereitet sich auf einen ähnlichen Erfolg mit HBM4E vor, um eine stabile Versorgung der Kunden mit Chips inmitten des anhaltenden KI-Fiebers zu gewährleisten.