Wie das Team von ET News berichtet, haben die Ingenieure von Samsung vor kurzem einen sehr bedeutenden Meilenstein erreicht: Das südkoreanische Unternehmen hat erfolgreich den ersten 3D-V-NAND-Flash-Speicherchip mit 900 aktiven Zellschichten fertiggestellt, was in mehr als einer Hinsicht einen großen Schritt nach vorn bedeutet. Die 900 aktiven Zellschichten sind ein Novum in der Branche, denn die Lösung von SK hynix ist mit ihren 321 aktiven Zellschichten führend im Segment der 3D-NAND-Flash-Chips, die sich derzeit in der Massenproduktion befinden, obwohl hinzugefügt werden sollte, dass die Entwicklung von Samsung noch nicht in der Massenproduktion ist.

Das südkoreanische Unternehmen hat sich das Ziel gesetzt, bis zum Jahr 2030 3D-V-NAND-Flash-Speicherchips mit 1.000 aktiven Zellschichten anzubieten, was zunächst als ehrgeiziger Plan erschien, aber mit dieser jüngsten Entwicklung rückt er in greifbare Nähe. Natürlich werden die 900 aktiven Zellschichten nicht durch einen monolithischen Chip erreicht, was nach dem derzeitigen Stand der Technik eine unvorstellbar komplexe Aufgabe wäre. Stattdessen wurde die Hybrid-Bonding-Technologie, einschließlich des firmeneigenen Cell Multi-Bonding (CMB)-Prozesses, eingesetzt, die es ermöglicht, zwei 3D-V-NAND-Speicherchips mit jeweils 450 aktiven Zellschichten zu stapeln, um eine Entwicklung mit 900 aktiven Zellschichten zu erreichen.

Die einzelnen Silizium-Wafer können mit Hilfe integrierter Metallkontakte "zusammengeklebt" werden, die im Wesentlichen eine dauerhafte Verbindung zwischen den beiden Wafern herstellen, aber die technische Umsetzung ist alles andere als einfach. Da Siliziumwafer zum Verzug neigen, musste eine Methode entwickelt werden, die sicherstellt, dass die Verklebung immer exakt und fehlerfrei ist. Zu diesem Zweck wurden mikroskopisch kleine Klammern entwickelt, die die Wafer in Position halten, bis die notwendige Verbindung hergestellt ist - eine Methode, die auch die Möglichkeit einer falschen Ausrichtung ausschließt.

Der genaue Typ der von Samsung verwendeten winzigen "Chucks" wurde nicht genannt - möglicherweise steckt die Coulumbic E-Chuck- oder Johnsen-Rahbek E-Chuck-Technologie hinter den elektrostatischen Lösungen. Gleichzeitig haben die Ingenieure des Herstellers auch Änderungen an den NAND-Interna vorgenommen, wie z. B. eine neue Bit- und Wortleitungsarchitektur, um die Größe der Chips auf einem vernünftigen Niveau zu halten und den Stromverbrauch unter Kontrolle zu halten.

Es ist noch nicht bekannt, wann genau die Massenproduktion der 3D-V-NAND-Flash-Speicherchips mit 900 aktiven Zellschichten beginnen wird. In der Zwischenzeit ist das Unternehmen dabei, die Produktion seiner V-NAND-Flash-Speicherchips der 10. Generation hochzufahren, was die Palette über 400 aktive Zellschichten hinaus erweitern könnte, und später könnte die oben erwähnte Entwicklung mit 900 aktiven Zellschichten beginnen.