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SAMSUNG ENTWICKELT EINZIGARTIGE LOGIK-WAFER FÜR HBM-SPEICHERCHIPS, DIE MIT 2 NM WAFERBREITE HERGESTELLT WERDEN SOLLEN

Die einzelnen Chips würden individuelle Funktionen bieten und am unteren Ende eines Speicherchips aus DRAM-Chips sitzen.
J.o.k.e.r
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Samsung entwickelt einzigartige Logik-Wafer für HBM-Speicherchips, die mit 2 nm Waferbreite hergestellt werden sollen

Nach Informationen von ZDNet South Korea arbeitet Samsungs Entwicklungsteam an einigen sehr interessanten Chips: Angeblich werden spezielle Wafer der 2-nm-Klasse entwickelt, die den HBM-Speicherchips zusätzliche Fähigkeiten verleihen könnten. Die Entwicklungsarbeit wird vom Team von Samsung Semiconductor durchgeführt, wobei die im letzten Jahr gegründete Custom SoC Division der System LSI Business Division für die Arbeit verantwortlich ist.

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Die neuen Chips werden über kundenspezifische Komponenten verfügen, die KI-Beschleuniger unterstützen: Im Speicher platzierte Logikschaltungen werden in der Lage sein, verschiedene Operationen an den im Speicher abgelegten Daten durchzuführen, wodurch verschiedene KI-Aufgaben schneller und effizienter erledigt werden können. Es ist noch nicht bekannt, welche Komponenten genau in die einzelnen Chips eingebaut werden. Daher ist es nicht offiziell, welche Funktionen sie bieten werden, aber da die Arbeiten noch im Gange sind, werden sich konkrete Informationen verzögern.

Die nächste Generation von HBM-Chips könnte die SF2- oder SF2P-Fertigungstechnologie verwenden, d. h. die fortschrittlichsten Waferbreiten, die zur Maximierung der Transistordichte beitragen, sich aber auch positiv auf die Leistung und Energieeffizienz auswirken werden. Der Brancheninformant sprach auch über die Verwendung von Waferbreiten der 4-nm-Klasse, d. h. in jedem Fall wird die Funktionalität der Platine auf die Bedürfnisse des Partners zugeschnitten und der Knotenpunkt entsprechend gewählt.

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Die HBM-Produktlinie der sechsten Generation, zu der Speicherchips gehören werden, die auf dem HBM4-Standard basieren, wird voraussichtlich Speicherchips enthalten, die mit Samsungs 4-nm-Fertigungstechnologie hergestellt werden, d.h. es werden Knoten aus der SF4-Serie gewählt. Es wird erwartet, dass die HBM4-Speicherchips mit zusätzlichen Logikchips an Bord der nächsten Generation von Ultra-High-Performance-KI-Beschleunigern sein werden, aber welche das genau sein werden, ist noch nicht bekannt.

Futuristische HBM-Speicherchips mit 2-nm-Logikchips werden voraussichtlich irgendwann nach 2027 verfügbar sein, nach der Veröffentlichung der HBM4E-Speicherchips, also noch in weiter Ferne. Es wird erwartet, dass bis dahin die Speicherknappheit immer noch besteht und dass es eine große Nachfrage nach KI-Beschleunigern und damit nach HBM-Speicherchips geben wird - aber das sind vorerst nur Vorhersagen.

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