Micron hat mit der endgültigen Einführung der EUV-Lithografie, die in der fortschrittlichsten Fertigungstechnologie des Unternehmens, der 1-Gamma-Version, eingesetzt wird, einen äußerst wichtigen Meilenstein in der DRAM-Fertigung erreicht. Dies ist im Wesentlichen immer noch eine 10-Nanometer-Wafer-Breiteklasse, stellt aber in mehreren Bereichen eine wesentliche Verbesserung gegenüber der vorherigen 1β-Version dar, die bei der Produktion ihrer DRAM-Chips weit verbreitet war.
Die 1-Gamma- oder 1γ-Produktionstechnologie soll eine große Verbesserung gegenüber der vorherigen Technologie darstellen, obwohl nicht genau angegeben ist, wie viele EUV-Schichten das neue Design verwendet. Die EUV-Lithografie wird wahrscheinlich für kritische Schichten verwendet, wo zuvor das Multi-Patterning eingesetzt wurde, was die Produktion komplexer und zeitaufwändiger machte und auch die Produktionsrate beeinträchtigte.
Die DUV-basierte Multi-Patterning-Technologie wird natürlich weiterhin eingesetzt werden, nun aber in Kombination mit der EUV-Lithografie und einer neuen High-K-Metal-Gate-Technologie mit einer neuen BEOL-Schaltung (Bakc-end-of-line). Die Innovationen werden die Leistungseffizienz und die Bitdichte der neuen Chips erheblich steigern und gleichzeitig höhere Geschwindigkeiten ermöglichen.
Das erste neue Produkt, das das Potenzial der 1γ-Fertigungstechnologie ausschöpft, wird ein DDR5 DDR5 DRAM-Chip mit einer Kapazität von 16 GB sein, der DDR5-9200 MT/s erreichen kann; die ersten Muster wurden bereits an Partner ausgeliefert. Der 16-GB-Chip mit einer Kapazität von 2 GB wird mit einer Betriebsspannung von 1,1 V arbeiten, was dem Standard entspricht, aber 20 % weniger Strom verbrauchen und eine 30 % höhere Bitdichte aufweisen als sein Vorgänger, der auf der 1β-Fertigungstechnologie basiert.
Wenn das neue Produkt eine ähnliche Produktionsrate wie die 1β-basierten 16-Gbit-DRAM-Chips erzielen kann, dürfte die höhere Bitdichte die Produktivität steigern. Dies wiederum könnte zu niedrigeren Herstellungskosten führen, da kleinere Chips mehr Platz auf einem gleich großen Siliziumchip finden.
Obwohl der 16-Gb-DDR5-DRAM-Chip vom Hersteller mit 9200 MT/s beworben wird, ist das Produkt mit allen bisher von der JEDEC eingeführten Geschwindigkeitsklassen kompatibel, aber es besteht ein Spielraum, um sicherzustellen, dass es die kommenden Standards in Bezug auf die Geschwindigkeit erfüllen kann. Laut Micron könnte dies für CUDIMM- oder CXL-basierte Speicher von Vorteil sein, die in der Regel höhere Geschwindigkeiten als der JEDEC-Standard verwenden können. Der neue Speicherchip könnte sogar bei Tuning-Speichern oberhalb der Geschwindigkeitsklasse von 10.000 MT/s zum Einsatz kommen, da sich die Produktionsrate verbessert und die erreichbare stabile Taktrate steigt.
Der Anbieter wird die 1-Gamma-Fertigungstechnologie schließlich für GDDR7- und LPDDR5X-Speicherchips einsetzen und könnte sie in Zukunft auch für Produkte für Rechenzentren verwenden. Derzeit ist geplant, die neuen Speicherchips innerhalb von 1-2 Quartalen zu testen und zu validieren, was bedeutet, dass DRAM-Chips, die auf der 1-Gamma-Fertigungstechnologie basieren, bereits Mitte des Jahres in kommerziellen Produkten eingesetzt werden könnten.
