In der Vergangenheit gab es viele negative Berichte über Intels 18A-Produktionstechnologie, in denen berichtet wurde, dass die Produktionsrate gelinde gesagt nicht die beste ist, aber in letzter Zeit hat sich die Situation verbessert und vor kurzem wurde sogar eine Pilotproduktion gestartet. Es wird erwartet, dass die 18A-Produktionstechnologie noch in diesem Jahr für die Massenproduktion bereit ist und in den Panther Lake-Prozessoren eingesetzt wird, die noch in diesem Jahr auf den Markt kommen sollen. Während die Produktionsrate eine äußerst wichtige Kennzahl ist, da sie bestimmt, wie viele fehlerfreie und brauchbare Chips aus einem 300-mm-Siliziumwafer hergestellt werden können, können auch andere Aspekte sehr wichtig sein, z. B. die Leistung von Chips, die um den neuen Knoten herum gebaut werden.
Diesbezüglich hat die taiwanesische 3C News kürzlich einige Informationen veröffentlicht, die auf Untersuchungen und Berechnungen von TechInsight-Mitarbeitern basieren. TechInsights veröffentlicht in der Regel zuverlässige und genaue Daten, aber man sollte bedenken, dass die Informationen nicht aus einer offiziellen Quelle stammen, d. h. das Bild ist nicht immer korrekt.
Auf der Grundlage der TechInsights-eigenen Skala erhielt die 18A-Fertigungstechnologie von Intel 2,53 Punkte für die Gesamtbewertung, während die SF2-Fertigungstechnologie von Samsung 2,19 Punkte und die N2-Waferbreite von TSMC 2,27 Punkte erhielt. Basierend auf diesen Ergebnissen bietet Intels Lösung die höchste Leistung unter den Waferbreiten der 2nm-Klasse, was auf mehrere Gründe zurückzuführen ist.
Sie ist die erste, die die BSPDN-Technologie (Backside Power Delivery Network) einführt, die eine neuartige Stromversorgung für Transistoren bietet. Die neue Architektur ermöglicht eine effizientere Platzierung der Transistoren und eine bessere Ausnutzung des Platzes für die Bauteile, was zu erheblichen Verbesserungen von 5-10 % in diesen Bereichen führt. Gleichzeitig wird der Verbindungswiderstand verringert und die Leistung bei gleichem Stromverbrauch um 4 % erhöht, da die neue Stromversorgungsarchitektur den Innenwiderstand deutlich verringert. Im Vergleich zur vorherigen Generation der Intel 3-Fertigungstechnologie kann der Intel 18A 30 % mehr Transistoren auf derselben Fläche unterbringen und das Verhältnis von Leistung zu Verbrauch um 15 % verbessern.
Die Dichte der SRAM-Zellen zeigt ebenfalls einen positiven Trend, da die Größe von 0,03 Quadratmikrometern bei Intel 3 auf 0,023 Quadratmikrometer reduziert werden konnte, während die Größe der Zellen mit hoher Dichte auf 0,021 Quadratmikrometer gesenkt werden konnte, d. h. ein Skalierungsfaktor von 0,77 bzw. 088, was ein guter Beweis dafür ist, dass die Skalierung der SRAM-Zellen nicht stagniert, sondern weitergeht. PowerVia ist es außerdem gelungen, die negativen Auswirkungen von Spannungsabfall und Interferenzen durch die Verwendung einer rückseitigen statt einer frontseitigen Stromversorgung abzuschwächen. Diese Innovationen haben zu einer Makro-Bitdichte von 38,1 Mbps/qmm geführt, womit der Intel 18A auf Augenhöhe mit dem TSMC N2 liegt, ein sehr hoher Wert.
Die 18A-Produktionstechnologie befindet sich derzeit in der Pilotproduktion, was bedeutet, dass dies die letzte Phase vor dem Start der Massenproduktion ist. Während des Live-Tests können bei Bedarf weitere Optimierungen vorgenommen werden, um die Produktion hochzufahren.
