Das chinesische Unternehmen CXMT hat kürzlich auf der China International Semiconductor Expo 2025 wichtige Entwicklungen vorgestellt und gezeigt, wo es im Bereich der Speicherchips auf der Grundlage der DDR5- und LPDDR5X-Speicherchipsätze steht. Die im Inland entwickelten Speicherchips sind von enormer Bedeutung, da sie die chinesische Halbleiterindustrie in die Lage versetzen werden, ihre Unabhängigkeit von ausländischen Chips und Bezugsquellen fortzusetzen und gleichzeitig ausreichend wettbewerbsfähige Produkte sowohl im Inland als auch für ausländische Partner anzubieten.

Die jüngsten Entwicklungen, zu denen ein DDR5-Speicherchip mit einer Geschwindigkeit von 8000 MT/s und ein LPDDR5X-Speicherchip mit einer Geschwindigkeit von 10667 MT/s gehören, werden bei diesem Vorhaben helfen. Diese Produkte werden von der chinesischen Serverinfrastruktur dringend benötigt, die aufgrund der hohen Nachfrage ebenfalls mit Versorgungsproblemen zu kämpfen hat, d. h. es werden einfach nicht genügend Speicherchips produziert, um den Bedarf der klassischen Server und der KI-Server, die wie Pilze aus dem Boden schießen, zu decken.

Das LPDDR5X-Speicherchip-Segment wird von CXMT mit einer 12-GB- und einer 16-GB-Lösung adressiert, während der DDR5 Speicherchip-Markt mit 16-GB- und 24-GB-Lösungen angesprochen wird. Diese Produkte werden später in den Formaten RDIMM, MRDIMM und TFF MRDIMM für verschiedene Unternehmensserver und Rechenzentren eingesetzt, während das UDIMM-Format auf Desktops und die So-DIMM-Module auf Notebooks und kompakte Konfigurationen abzielen. Das Unternehmen wird natürlich auch eine Reihe von Kapazitäten für die Akteure in jedem Segment anbieten, um den Bedarf an Speicherkapazität effizienter decken zu können, vor allem auf dem Servermarkt, der der größte Markt für seine Produkte ist.

Das Chip-Forschungsteam von TechInsights - dessen Unternehmen in China verboten wurde - entdeckte zuvor CXMTs neueste 16-nm-Speicherchips in Streifenbreite auf einem Gloway-Speichermodul für das Desktop-Segment mit DDR5-6000 MT/s. Dieses Modul stellt einen bedeutenden Fortschritt in der chinesischen Speicherindustrie dar, die nun wettbewerbsfähige Alternativen zu westlichen Anbietern an der DDR5-Front bietet.

Diese Speichermodule wurden mit 16-GB-DDR5-Speicherchips mit einer Grundfläche von 67 Quadratmillimetern und einer Datendichte von 0,239 GB pro Quadratmillimeter getestet. Diese Speicherchips verwenden nun DRAM-Speicherzellen der vierten Generation, G4, die 20 % kleiner sind als G3-Varianten. 

Das Unternehmen macht gute Fortschritte, da es 23 nm für die G1-Chips und 18 nm für die G2-Lösungen verwendet hat, aber es liegt immer noch hinter den großen Speicherherstellern zurück, wobei die Teams von Samsung, Sk hynix und Micron einen Vorsprung von etwa drei Jahren gegenüber CXMT haben, was die technologischen Fertigungsmöglichkeiten angeht.